日立と IBM、半導体の特性評価で共同研究

日立製作所と IBM は、2008年3月10日、次世代半導体のイノベーションのスピードを加速させるため、32nm 以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を、2年間にわたり、共同で行うことで合意したと発表した。

両社は、現在、企業向けサーバー製品などで協業しているが、半導体技術分野で協業するのは、今回が初めて。

IT 関連製品の高性能化・小型化を背景に、次世代 32nm や次々世代 22nm の半導体デバイスを実現するための微細化が進められている。

今回の共同研究では、微細化によって発生するトランジスタのばらつきの特性や計測方法の向上およびデバイス物理学の理解を深めるべく、半導体デバイスおよび構造を分析する新しい評価方法を使った 32nm 以降の半導体に関する基礎研究に焦点をあてていく。

両社および日立製作所の子会社である株式会社日立ハイテクノロジーズの技術者は、米国ニューヨーク州ヨークタウンハイツにある IBM のワトソン研究所および同州アルバニーにあるニューヨーク州立大学アルバニー校の研究施設で共同研究を行う。